Abstract FR:

Les circuits optoélectroniques employés pour les communications par fibres optiques sont constitués d’un laser à semi-conducteur et de son système de commande dont la cellule élémentaire est le transistor à effet de champ. Un effort considérable a été consacré avec succès à l’étude des lasers sur substrat en Phosphure d’Indium (leur longueur d’onde d’émission correspond au minimum d’absorption des fibres optiques). Les exigences d’une intégration monolithique supposent la réalisation d’un transistor à effet de champ sur ce même substrat. Parmi les matériaux de même paramètre cristallin que l’InP, GaInAs a l’avantage de permettre des vitesses électroniques extrêmement élevées, aussi bien à faible qu’à fort champ. L’objet de ce travail aura été de montrer qu’il est possible d’obtenir avec GaInAs un transistor aux performances supérieures à celles de son équivalent en Arséniure de Callium, et ce malgré l’impossibilité de déposer sur le ternaire un contact Schottky satisfaisant. Les couches semi-conductrices ont été élaborées par épitaxie en phase vapeur suivant la méthode dite des organométalliques ; une optimisation des conditions opératoires et une étude des dopants sont présentées. L’ouverture du canal est contrôlée par une jonction PN. Celle-ci est fabriquée par une méthode originale et bien maîtrisée de gravure chimique à base de solutions acides. Elle permet de définir une longueur de grille d’un demi-micron. La mesure des performances du transistor a fait ressortie une transconductance de 260 mS/mm ; c’est là un nouveau record mondial.