Abstract FR:

Nous presentons les etudes experimentales et theoriques, dans le domaine des basses energies (inferieures a 50 kev), des distributions angulaires et energetiques des electrons retrodiffuses par des cibles polycristallines d'or et de silicium. L'element principal du dispositif experimental, place dans un microscope electronique a balayage, est un detecteur semiconducteur type diode pin refroidie a 100 k. La mobilite du systeme de detection, autour du point d'impact du faisceau incident, permet une etude systematique de la distribution en energie des electrons retrodiffuses en fonction de leur angle d'emission. Un traitement des spectres enregistres est effectue de facon a s'affranchir d'une part de la detection parasite du rayonnement x emis par la cible, d'autre part de la perte de resolution de la chaine de spectrometrie lorsque l'energie des electrons detectes decroit. Pour chacun des angles consideres, la densite de probabilite de retrodiffusion est determinee. La distribution angulaire et la distribution globale en energie sont deduites de ces resultats. Le procede de normalisation permet d'apprecier le phenomene de retrodiffusion de maniere generale en mettant en evidence certaines proprietes independamment du materiau et de l'energie incidente consideres. Les resultats obtenus a l'aide d'une methode de monte-carlo traduisent correctement l'ensemble des donnees experimentales. La fiabilite de la simulation est ainsi demontree. Enfin les distributions angulaires et energetiques des electrons retrodiffuses sont representees par des expressions analytiques. Celles-ci permettent de prendre en compte l'influence du processus de retrodiffusion sans qu'il soit necessaire d'effectuer une etude approfondie des phenomenes