thesis
Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium
Institution:
Université Joseph Fourier (Grenoble)Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
Mise en evidence d'un nouvel ensemble de raies dans le spectre de photoluminescence du silicium recuit a 600**(o)c pendant une centaine d'heures. Observation d'energie de localisation faible et d'une raie a zero phonon. Proposition d'un modele prenant en compte les variations de potentiel aux interfaces entre les precipites d'oxygene generes par le recuit et le substrat