Abstract FR:

Des structures silicium sur isolant (soi) peuvent etre obtenues a partir de silicium poreux a condition de controler l'oxydation thermique du materiau. Ce memoire est consacre a l'etude de l'oxydation du silicium poreux. Ce travail a permis de fixer les conditions experimentales conduisant a la formation reproductible de couches de silicium poreux homogenes. L'etude detaillee de l'oxydation de ce materiau a permis de degager un mecanisme phenomenologique qui rend compte de la transformation du silicium poreux en oxyde aux proprietes identiques a celles de la silice classique. Le mecanisme procede par une oxydation chimique couplee a une densification, tres activee en temperature, de la silice. Ces resultats ont ete appliques a la realisation de structures soi