thesis
Nitruration sous ammoniac de couches minces de W déposées sur Si : caractérisations physicochimiques et électriques
Institution:
Université Joseph Fourier (Grenoble)Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
Nous etudions la formation directe de structure si/wsi#2/si#3n#4 et si/wsi#2/wn#x par recuit sous nh#3 entre 600 et 1100#oc de structures si/w/a-sih et si/w avec des couches minces de w (200 et 2000 a) et de a-sih (150 a) en vue de l'utilisation de wsi#2 couvert de couches a barriere de diffusion comme contact ou interconnexion en microelectronique