Abstract FR:

On montre que la concentration des defauts profonds croit lorsque l'epaisseur d d'un silicium hydrogene si:h diminue. Les courbes (v,t) tension-temperature sont du type schottky avec des facteurs d''idealite qui augmentent quand t decroit. Des mesures c(v,), on en deduit la chute du potentiel electrostatique q#s dans le c-si pour chaque epaisseur d en fonction de la tension v appliquee. Les mesures photoelectriques sont effectuees afin de determiner et de caracteriser les defauts de la structure