Abstract FR:

Des structures silicium sur isolant (soi) peuvent etre obtenues par formation et oxydation de couches de silicium poreux. Le travail presente dans ce memoire contribue a ameliorer la qualite des structures obtenues par les deux voies technologiques existantes: l'epitaxie de silicium sur silicium poreux et la formation de couches enterrees de silicium poreux. Des epitaxies de silicium ont ete realisees par une technique cvd basse temperature basse pression sur des couches de silicium poreux formees sur substrats fortement dopes (p#+ et n#+) et sur substrats faiblement dopes (p et n). Elles conduisent a une couche de silicium monocristallin dont la qualite cristallographique depend du dopage du substrat d'origine. Cette qualite est excellente pour des couches epitaxiees sur silicium poreux p#+ et se deteriore fortement lors de l'emploi de substrats p. Toutefois, l'utilisation d'une technique de recroissance epitaxiale en phase solide permet de diminuer fortement la densite de defauts de ces couches. Une nouvelle procedure d'oxydation a alors ete mise au point afin d'oxyder et densifier completement la couche enterree de silicium poreux. Cette procedure qui comprend une etape a haute temperature (1300c) conduit a une couche enterree d'oxyde parfaitement dense et n'entraine pas de diffusion de dopant de la couche de silicium poreux dans la couche epitaxiee. Cette meme procedure a ete employee pour la realisation de structures soi par la deuxieme voie technologique. Elle conduit, apres optimisation des conditions de formtion de la couche enterree de silicium poreux, a l'isolation complete et planar d'ilots de silicium de 80 m de large. Des dispositifs de test ont alors ete realises sur ce materiau et ont demontre qu'il presente des caracteristiques electriques semblables a celles d'autres materiaux soi