Abstract FR:

La formation et les proprietes physico-chimiques de quelques interfaces dielectriques/siliciures (oxydes/siliciures de w, de ta et d'er, caf#2/cosi#2) ont ete etudiees par photoemission x et uv, spectroscopie auger et diffraction d'electrons lents. Nos principaux resultats sont les suivants a 700#oc et sous 2. 10##5 mbar d'o#2, du sio#2 se forme a la surface du wsi#2, sans modifier ni la structure electronique ni la composition du siliciure sous-jacent. Aucune liaison w-o n'est detectee. Pour tasi#2, une tres faible quantite de ta#2o#5 (0. 1 mc) se forme pendant la periode transitoire d'oxydation et reste ensuite au-dessus de la couche de sio#2. Cette derniere croit suivant une loi parabolique en fonction du temps, indiquant que l'oxydation a lieu a l'interface siliciure-sio#2. Le troisieme siliciure, ersi#1#. #7 a un comportement different. Le si et l'er s'oxydent tous les deux en donnant du sio#2 et du er#2o#3 pendant la premiere etape de l'oxydation. Ensuite la couche de sio#2 arrive a saturation, alors que le er#2o#3 continue a croitre jusqu'a consommation complete du siliciure. A temperature ambiante le caf#2 croit couche par couche sur le cosi#2 (111). A l'interface le ca et le f se lient uniquement aux atomes de si quelle que soit la terminaison de la surface du siliciure, riche en si (cosi#2-s) ou en co (cosi#2-c). Deux couches epitaxiales de bonne qualite cristallographique sont obtenues apres recuit dans la gamme de temperature 550-650#oc. A partir de 700#oc le fluorure commence a s'evaporer. A haute temperature la couche de siliciure elle-meme se deteriore