Abstract FR:

Nous avons dans ce memoire presente nos travaux sur les proprietes physiques d'heterostructures a base de silicium. Ces structures sont constituees d'une couche mince d'ersi#2 (de 200 a 400 nm) epitaxie sur un monocristal de silicium, sur laquelle on reepitaxie quelques centaines de nm de silicium peu dope. Une derniere couche metallique deposee termine la structure a tester. La premiere phase a concerne la mise au point technologique de ces structures pour qu'elles puissent etre testees. Des methodes de caracterisations electriques i(v) et c(v) ont alors ete mises en uvre pour caracteriser les hauteurs de barriere, les epaisseurs et le dopage du film de silicium epitaxie. Cette longue et delicate mise au point etait focalisee sur un point precis: mettre en evidence les proprietes a priori extremement interessantes de photoemission de ces structures. Tout d'abord, 4 types de courant photogeneres sont attendus: des electrons et des trous provenant soit du metal superieur soit de l'ersi#2. Chacun de ces courants possede un seuil de detection que nous avons parfaitement determine, mais la grande originalite reside dans la modulation de ces seuils par une tension appliquee entre le metal superieure et le siliciure. Nous avons ensuite correle nos mesures avec les hauteurs de barriere attendues en fonction des differentes conditions de polarisation. Dans une derniere partie, nous avons etudie les parametres preponderants dans les mecanismes de fonctionnement de ces dispositifs