Abstract FR:

Dans la technologie salicide (formation auto-alignee d'un siliciure sur la grille, la source et le drain d'un transistor mos), s'orientant vers des dimensions inferieures au micron, la demande en nouveaux materiaux et en comprehension des mecanismes de diffusion laterale succite encore beaucoup de questions et d'alternatives. Sur la base d'un ensemble d'experiences, nous avons explique l'origine de la diffusion laterale des siliciures dans la technologie salicide. Celle-ci est due a une diffusion rapide de silicium en surface du metal des les premieres phases de la reaction m-si. Et, c'est cette comprehension meme qui nous a permis de mettre au point et de proposer plusieurs moyens de controle de la diffusion laterale. La plus elegante de ces methodes est sans doute celle de l'encapsulation par une couche de tin formee thermiquement sur du w. L'exploitation de ce procede nous a permis de mettre au point, et cela pour la premiere fois, un salicide wsi2, non seulement des dispositifs electriques fonctionnels mais surtout des circuits 4k sram fonctionnels a des rendements de 70%! nous avons egalement etudie la formation de jonctions fines de 0,1 m avec l'idee d'une implantation dans le siliciure, combinee a un salicide wsi2. Nous avons obtenu d'excellentes jonctions p#+/n fonctionnelles pour un dopage au bore. Pour l'arsenic, il semble plus difficile de former les jonctions a travers wsi2