Abstract FR:

Deux procedes d'oxydation localisee, par scellement de l'interface nitrure/silicium, ont ete developpes: le procede nilo (nitrogen implantation for local oxidation) et le procede silo/rtn (sealed interface local oxidation by rapid thermal nitridation). Avec le procede nilo, le masquage a l'oxydation est realise par une fine couche de nitrure obtenue par implantation ionique d'azote dans le silicium. Le procede silo/rtn utilise la contribution de 3 depots lpcvd de nitrure, oxyde, nitrure realises apres une nitruration thermique rapide du silicium pour masquer l'oxydation de champ. Par rapport au procede locos une reduction importante sur les dimensions du bec d'oiseau peut etre obtenue (environ un facteur 3). La qualite cristalline du substrat a ete etudiee en fonction des differents parametres technologiques. La realisation de transistors cmos a permis de valider electriquement ces 2 techniques d'isolation de champ