Abstract FR:

L'objectif de ce travail consiste a analyser puis a modeliser le phenomene de depot de silicium amorphe hydrogene a partir de silane dans des reacteurs a activation plasma. L'etude a tout particulierement ete consacree au domaine des puissances rf elevees. Elle demontre que, si une chimie assez simple peut etre utilisee pour des conditions de faible puissance, il n'en est pas de meme pour des conditions de puissance elevee ou un grand nombre de reactions doit etre pris en compte. L'utilisation d'un logiciel relativement simplifie, afin d'obtenir un outil de simulation d'utilisation commode tout en restant precis, nous a permis d'effectuer une analyse numerique systematique des processus chimiques mis en jeu dans la decharge. La confrontation entre un ensemble de resultats experimentaux, obtenus sur une unite pilote, et les informations fournies par l'exploitation du logiciel, nous a permis d'etablir la qualite du modele, et de tirer un ensemble de conclusions qui ameliorent la connaissance du procede de depot assiste par plasma.