Abstract FR:

Le procede de depot chimique a partir d'une phase vapeur (cvd) presente une grande importance dans de nombreux secteurs industriels et, en particulier, pour la microelectronique. Le but de ce travail etait d'etablir un modele de simulation numerique du comportement cinetique des reacteurs de depot lpcvd de silicium pur et dope in situ au phosphore, puis de rechercher les correlations qui existent entre la structure et les proprietes des films minces et les conditions de leur elaboration. Pour ce qui concerne l'analyse cinetique, nous avons perfectionne puis utilise systematiquement le logiciel cvd 2, precedemment elabore par des chercheurs de notre laboratoire. Il s'agit d'un modele bidimensionnel d'etude locale qui integre les equations de navier-stokes et de transfert de matiere, couplee aux lois cinetiques des reactions chimiques mises en jeu. Pour ce qui concerne l'etude de la structure et des proprietes des couches, nous avons utilise diverses techniques de caracterisation et, tout particulierement, l'ellipsometrie; cette partie de notre travail a ete effectuee en etroite collaboration avec le laas du cnrs. Du point de vue de la nature des depots, enfin, notre effort a ete organise autour de trois axes, l'analyse de l'influence de la longueur de la zone d'entree dans le reacteur, l'examen detaille de l'influence de la concentration de phosphine, gaz qui depose les atomes de phosphore qui dopent le silicium et, enfin, plus brievement, l'etude de l'influence de l'addition de faibles fractions de disilane au monosilane qui constitue la source de silicium