Abstract FR:

Le procede de depot chimique a partir d'une phase vapeur (cvd) est d'une grande importance dans de nombreux secteurs industriels, notamment l'industrie microelectronique. Le but de ce travail est de developper un modele mathematique decrivant le fonctionnement des reacteurs de cvd. Dans un premier temps, pour resoudre le probleme des ecoulements, nous avons utilise un logiciel de commerce nomme estet. Par la suite, nous avons elabore un programme qui traite des phenomenes de transfert de matiere avec reactions chimiques en phase gazeuse et sur les surfaces solides. Ce programme est construit d'une telle facon qu'il soit compatible avec estet, c'est a dire qu'il puisse utiliser les post et preprocesseurs d'estet ainsi que ses resultats. Le code de calcul ainsi etabli a servi a realiser trois etudes detaillees. La premiere, concerne l'etude du depot de silicium, polycristallin pur a partir du silane, dans des reacteurs dits a murs froids. La deuxieme, a porte sur l'etude du depot de silicium, polycristallin pur a partir du silane et dope in situ au phosphore a partir d'un melange de silane et de phosphine, dans un reacteur tubulaire horizontal a murs chauds, comprenant un compartiment de huit plaquettes. La derniere partie est consacre a l'etude du depot de silicium polycristallin a partir du disilane dans le meme reacteur tubulaire horizontal. L'analyse des resultats obtenus, met en evidence le role tout a fait determinant jouees par les reactions en phase gazeuse qui creent des especes nouvelles qui, eventuellement, participent au depot de films solides. Le travail demontre egalement, les possibilites actuelles et l'interet pour l'industrie, de la modelisation et de la simulation du fonctionnement des reacteurs de cvd