Abstract FR:

Le depot chimique a partir d'une phase vapeur (cvd) est un procede de grande importance dans de nombreux secteurs industriels, particulierement l'industrie microelectronique. Le but de ce travail est l'optimisation technico-economique du procede lpcvd utilisant un reacteur tubulaire a murs chauds pour deposer des films minces de silicium pur ou dope in situ. Dans un premier temps, nous avons elabore un modele d'evaluation economique du procede, ce modele a ete couple a un logiciel global qui permet l'analyse de la totalite du reacteur tubulaire dans les cas des depots uniformes sur substrats, tels que le silicium pur ou dope in situ au bore. Nous avons propose une nouvelle approche de la cinetique de depot du bore tenant compte de la concentration de trichlorure du bore dans la phase gazeuse. Nous avons aussi propose une modelisation globale des depots non uniformes, tenant compte des hetegogeneites radiales dans le cas du depot de silicium dope in situ au phosphore. Le couplage des modeles globaux d'evaluation technico-economique avec un modele d'optimisation nous a permis de determiner les conditions optimales de fonctionnement du reacteur. L'analyse des resultats met en evidence le role tout a fait determinant des conditions operatoires sur le cout du depot, et demontre egalement le grand interet pour l'industrie de la modelisation et de la simulation du fonctionnement des reacteurs de cvd