Abstract FR:

Dans l'industrie de la microelectronique, la contamination particulaire est responsable d'une reduction importante des performances des procedes de fabrication. Les procedes assistes plasma, et notamment les procedes de gravure seche sont une source particulierement nefaste de contamination particulaire. Nos travaux nous ont conduit, tout d'abord, a mettre au point et a evaluer des moyens in-situ (diffusion de la lumiere, mesure electriques) pour caracteriser la dimension et la densite des particules. Grace a ces dispositifs, nous avons etudie le transport des particules lors de l'etape critique pour la contamination des substrats en cours de traitement que constitue l'extinction du plasma. Nous avons ensuite analyse la formation des particules dans des plasmas d'argon (pulverisation) et des plasmas de trifluoromethane (gravure ionique reactive). La derniere partie de nos travaux est consacree a l'analyse de l'efficacite des procedes de nettoyage des reacteurs par des plasmas pulses