Abstract FR:

Le simox (separation by implanted oxygen) est un materiau soi qui presente de fortes potentialites dans le domaine de la micro-electronique. Utilise dans les annees 80 pour des applications militaires et spatiale, il est actuellement le principal candidat pour les applications civiles: cmos faible consommation. Apres une etude detaillee des defauts presents dans le materiau, la premiere partie de ce travail a ete consacree a la mise au point de procedures de caracterisation fiables des defauts cristallins. Ces methodes (revelation chimique et topographie x) sont adaptees a caracterisation de faibles densites de defauts (dislocations et fautes d'empilement). Par l'etude des conditions d'elaboration de substrats simox, nous avons mis en evidence que les dislocations sont generees, au premier ordre, au cours de l'implantation ionique. L'examen du materiau, avant recuit, nous a permis de proposer deux mecanismes possibles pour la formation des dislocations: le premier mecanisme est lie a la formation de boucles de glissement. Le deuxieme mecanisme est lie a la formation de boucles prismatiques. Au cours de ce travail, nous avons egalement investigue de nouveaux domaines d'etude ou l'epaisseur de la couche de silicium superficielle est a superieure a 1 m. Ce materiau est obtenu par epitaxie. Nous avons abouti a la mise au point d'un procede de fabrication permettant de reduire de facon significative, de l'ordre d'un facteur dix (10#4cm#-#2), la densite de dislocations du materiau simox epais