Abstract FR:

L'evolution des memoires a semiconducteurs et en particulier de la famille eprom (erasable read only memory) est liee a l'identification des phenomenes determinants du processus de perte de la charge electronique stockee. Les cellules etudiees ici sont toutes proches des points de fonctionnement de filieres industrialisees ou en cours de developpement (de 4 a 256 megabits). On distingue deux mecanismes de perte de charge. Le premier est une fonction de la nature des dielectriques presents dans la structure et des lois qui regissent la conduction qui leur est associee. Le second est lie a la migration des ions alcalins dans la cellule. Partant de l'analyse des proprietes de la tricouche ono (oxyde nitrure oxyde) et en emettant l'hypothese de l'injection d'electrons en fin d'ecriture, un modele de perte de charge est propose. Il est base sur l'emission electronique assistee en temperature et la migration des electrons a travers l'ono. Les mesures de perte de charge montrent qu'il ne faut pas descendre, dans la realisation de l'ono, en deca de l'epaisseur tunnel de chaque couche et que l'obtention de couche d'epaisseur homogene et stchiometrique ameliore la fiabilite du dispositif. Cette analyse conduit, de meme, a la proposition d'un dielectrique adapte aux applications tres avancees. Forme par l'association de nitrure et d'oxyde, le no apparait comme un candidat interessant les generations eprom et flash eprom 256 mb. L'etude des contaminants ioniques a mis en uvre la methode tvs, qui s'avere un outil puissant, permettant l'evaluation rapide et precise de la densite d'ions mobile dans les dielectriques epais. Une solution economiquement viable a ete mise au point pour prevenir les effets d'une eventuelle contamination sur le plan memoire. Il s'agit de la juxtaposition judicieuse d'un verre au phosphore et d'un verre au bore et au phosphore