Abstract FR:

Les nouveaux reacteurs, de technologie annulaire, developpes au lgc, constituent une alternative interessante pour resoudre les divers problemes rencontres dans l'industrie micro-electronique. La premiere partie de ce travail consistait a concevoir un modele reduit, appele reacteur secteur, du reacteur annulaire, permettant de realiser a moindre cout et plus rapidement les essais necessaires pour le developpement d'applications nouvelles. La seconde partie comprenait l'analyse et la modelisation du fonctionnement de ces deux reacteurs, dans le cas de depots de silicium pur ou dopes in situ au phosphore ou au bore ou de sipos, par pyrolyse de silane ou de disilane. Pour ce faire, diverses campagnes de mesures ont ete menees, principalement avec le reacteur secteur. Par ailleurs, un gros effort d'analyse theorique a ete consenti. Le premier ensemble de logiciels qui a ete developpe traite la totalite du volume du reacteur ; il fournit une description generale de son fonctionnement. Des modeles plus precis mais s'interessant uniquement a la zone de depot ont alors ete concus. Ils fournissent des resultats nettement plus precis notamment en ce qui concerne la distribution de l'epaisseurs des depots a la surface des plaquettes. L'exploitation systematique de ces programmes de simulation numerique et la confrontation des resultats fournis avec les donnees experimentales se sont revelees riches d'enseignements et ont permis d'envisager la mise en uvre d'ameliorations techniques dont plusieurs ont ete experimentees avec succes