Abstract FR:

Le mecanisme de transfert dans le procede smart-cut a ete etudie. L'elaboration par le procede smart-cut d'une structure soi, nommee unibond, a ete apprehendee. Le procede smart-cut fait appel a l'implantation d'hydrogene et des traitements thermiques post-implantation. Au niveau microscopique, cette etude a mis en evidence les defauts responsables de la fracture dans le silicium. L'evolution de ces microcavites ou microfissures au cours du recuit de transfert a ete quantifiee. La coalescence de ces microcavites a ete explicitee par le mecanisme d'ostwald ripening. Au niveau macroscopique, les effets de l'application, par collage direct, d'une plaque de silicium sur la plaque implantee ont ete etudies. L'influence de la repartition d'hydrogene implante dans le silicium a ete apprehendee. Les energies d'activation du procede ont ete determinees. Le mecanisme de diffusion de l'hydrogene implante a ete mis en evidence. Enfin, le materiau soi-unibond a ete caracterise et presente un interet majeur pour l'industrie ulsi