Abstract FR:

Ce travail est consacre a l'integration des fonctions radio frequence (rf) de la partie reception d'un terminal mobile 2ghz en technologie silicium bicmos. Dans une premiere partie, les differentes caracteristiques des systemes rf sont rappelees. Ces systemes sont particulierement complexes (architecture, fiabilite) et les problemes lies a leur integration sont mis en evidence. Dans la partie suivante les principes de base et les proprietes des modulations analogiques et numeriques sont donnes. Dans une troisieme partie les composants silicium sont analyses. En particulier, une comparaison entre les transistors bipolaire et mos montre leurs limitations respectives et leur complementarite. Les systemes rf utilisent des inductances ; une modelisation de ce composant passif est proposee pour son integration sur silicium. Dans la derniere partie, quatre architectures pour une integration complete des quatre fonctions principales d'un recepteur (lna, filtre de frequence image et melangeur, filtre de frequence intermediaire, synthetiseur de frequence) sont proposees. Ces architectures ont ete validees par des mesures sur circuit. Leurs performances et leur souplesse permettent d'envisager maintenant la conception d'un recepteur rf totalement integre et adaptable a la plupart des normes des systemes rf (actuels ou futurs)