Etude et modélisation du fonctionnement des réacteurs de CVD, axisymétriques, à parois froides
Institution:
Toulouse, INPTDisciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Le procede de depot chimique a partir d'une phase vapeur (cvd), presente une grande importance dans de nombreux secteurs industriels et, en particulier, pour la microelectronique. Le but de ce travail etait de construire un modele representant le fonctionnement des reacteurs de cvd, axisymetriques, a parois froides. Un logiciel, appele cwcvd, a ainsi ete mis au point. Il permet de determiner les distributions des vitesses d'ecoulement des gaz, de leur temperature, et de la concentration des differentes especes, reactifs ou produits des reactions, au sein de ce type d'appareils. Ce logiciel resout les equations de conservation de la quantite de mouvement, de la chaleur, et de chaque espece, couplees aux equations de vitesse de production ou de consommation par reactions chimiques. Deux applications particulieres ont fait l'objet d'une etude detaillee. La premiere concerne la region d'entree dans un four tubulaire a parois chaudes, la seconde, une configuration axisymetrique simple de reacteur a chauffage rapide. Dans les deux cas, nous avons considere le depot de silicium polycristallin par pyrolyse du silane. L'analyse theorique originale que nous avons effectuee, apporte un grand nombre d'informations interessantes sur le fonctionnement de ces deux reacteurs. Elle met en evidence le role, tout a fait determinant, joue par les reactions en phase homogene qui prennent place dans les gaz chauds, avant qu'ils n'atteignent les substrats, et qui creent des especes nouvelles. La discussion des resultats nous a permis de mieux cerner les possibilites et les limites des deux types d'equipements que nous avons etudies, et ainsi, de preciser les domaines d'application ou ils pourraient etre les plus utiles. Notre travail demontre tres clairement les possibilites actuelles et l'interet pour l'industrie de la modelisation et de la simulation numerique du fonctionnement des reacteurs de cvd