Abstract FR:

Le depot chimique a partir d'une phase vapeur (cvd) est un procede de grande importance pour les industries de la microelectronique. Les buts de ce travail etaient d'analyser et de modeliser le fonctionnement des reacteurs de cvd a basse pression (lpcvd) de type tubulaire horizontal a paroi chaude, l'un des appareils les plus utilises en pratique. Les cas traites sont ceux de depot de silicium pur ou dope in situ, par pyrolyse de silane. Deux logiciels differents ont ainsi ete constitues. Le premier est un modele global, qui permet d'analyser la totalite d'un equipement et qui determine, a la fois, la distribution de temperature sur les plaquettes a recouvrir et la distribution de la vitesse de depot. Ce logiciel est particulierement bien adapte pour le traitement des depots de silicium pur et de silicium dope in situ au bore. Le second logiciel resulte d'une approche locale et bidirectionnelle qui effectue un traitement beaucoup plus detaille mais ne concerne plus qu'une partie representative du reacteur. Ces travaux ont permis de progresser nettement dans la comprehension des phenomenes complexes qui sont mis en jeu lors du depot de silicium dope in situ au phosphore. L'exploitation systematique de ces deux programmes de simulation numerique et la confrontation des resultats de calcul avec des donnees experimentales se sont revelees riches d'enseignement et permettent d'envisager la mise au point de nouveaux procedes industriels tres performants