Abstract FR:

L'interdiffusion assistee par implantation ionique des puits quantiques (001) znte/cdte/znte, a ete etudiee pour la realisation de nanostructures a confinement lateral. La stabilite thermique de ce systeme a hautes temperatures, a ete caracterisee par photoluminescence. Les resultats obtenus montrent que: (i) l'interdiffusion en cours de croissance est negligeable; (ii) les interfaces entre les couches, initialement rugueuses, sont progressivement ameliorees par traitement thermique, et evoluent vers une morphologie pseudo-lisse, ce qui resulte en une diminution importante de l'elargissement spectral de l'emission excitonique. Les defauts residuels produits par implantation ionique dans le cdte massif ont ete aussi identifies. Ces defauts, de type interstitiel, sont localisees en surface et loin en profondeur (au-dela du parcours projete des ions implantes); ils sont soit sous forme de fautes d'empilements et d'amas de petites tailles a basse temperature, ou bien de boucles de dislocations a temperature ambiante. L'interdiffusion de puits quantiques znte/cdte/znte assistee par implantation ionique de cd, zn et ar a ete demontree. La modulation de bande interdite est suivie par photoluminescence, microscopie electronique en transmission et spectrometrie de masse d'ions secondaires. Nous avons montre que l'interdiffusion a lieu pendant l'implantation et augmente avec la densite de defauts introduite. Des raies excitoniques fines (<5 mev) sont obtenues apres interdiffusion assistee par implantation d'ions legers (ar, zn), ce qui rend cette methode tres prometteuse pour la realisation de confinement lateral dans ces heterostructures