Abstract FR:

En vue de la réalisation de diodes Schottky, sur des couches de diamant homoépitaxié par dépôt chimique en phase vapeur et dopé au bore, fonctionnant à haute température(>400ʿC), nous avons étudié les propriétés électroniques des différentes terminaisons de surfaces (100) de nos films de diamants : hydrogénée, sans hydrogène et oxygénée, puis nous avons formé et caractérisé plusieurs types de contact métallique (Er, ErSi 1. 7 et Ag/Ti) sur ces différentes surfaces. Les surfaces sont analysées par spectroscopie de photoélectrons (UPS, XPS) et diffraction d'électrons lents. Les contacts sont étudiés durant leur formation par UPS et XPS, puis ils sont carctérisés ex-situ par des mesures électriques et photoélectriques, et pour certains par diffraction de rayons X en incidence rasante, spectroscopie Raman et AFM.