Abstract FR:

En vue de la réalisation de dispositifs électroniques à base de diamant, nous avons étudié le dopage de type n au phosphore et au soufre de couches minces monocristallines de diamant élaborées par implantation ionique et par dépôt chimique en phase vapeur. Les films implantés au phosphore suivant la méthode CIRA ont été caractérisés par Résonance Paramagnétique Electronique. Les films dopés phosphore et soufre par dépôt chimique en phase vapeur ont été caractérisés à l'aide de mesure de diffusion Raman, de mesure d'absorption Infrarouge et de mesures électriques tel que des mesures de résistivité en fonction de la température et des mesures d'effet Hall.