Abstract FR:

Etude par absorption ir et spectrometrie d'admittance des deux types de defauts crees par recuit entre 400 et 700**(o)c de si riche en oxygene. On determine les energies d'ionisation de ces donneurs ainsi que la cinetique de creation; le role de l'histoire thermique du cristal a ete souligne. Des experiences d'irradiation aux electrons permettent de preciser les mecanismes de formation de ces defauts. Pour les defauts cristallins obtenus par recuit a 600**(o)c, un modele est propose, reposant sur les proprietes des precipites d'oxygene et de l'interface si/sio::(2)