Abstract FR:

La fiabilite des systemes spatiaux est difficile a assurer lorsqu'il s'agit de prendre en compte les effets de la radiation. Plusieurs consequences sont possibles quand un circuit integre (ci) est expose a la radiation ionisante, toutefois aucune d'elles n'est particulierement desirable. Les effets commencent par une lente et implacable degradation de la performance du circuit, allant de la generation spontanee des erreurs fonctionnelles jusqu'au claquage total du circuit. En plus des effets de la radiation ionisante, il est aussi a present reconnu par la communaute internationale que les aleas (single event upsets - seus) representent une autre menace potentielle a la fiabilite des cis dans les environnements spatiaux. Ce sujet est d'importance considerable aujourd'hui, car au fur et a mesure que les technologies de cis atteignent des dimensions sousmicroniques, les effets des rayons cosmiques ont tendance a generer de plus en plus de seu sur les memoires des systemes electroniques. D'autre part, le test par courant a montre son efficacite en detectant des fautes difficilement decelables par le test logique conventionnel. Le test par courant peut donc ameliorer sensiblement la qualite et reduire le cout de production des cis cmos. Dans ce but, cette these presente une approche qui estime le courant de repos (i#d#d#q) en se basant sur des parametres de qualite comme l'immunite au bruit ainsi que la vitesse du ci. En sachant que la radiation ionisante degrade ces deux parametres des cis cmos, cette approche est ainsi tres appropriee pour ameliorer la qualite du test de fabrication du produit qui sera utilise dans des applications spatiales. Cette these presente egalement deux approches qui ont pour but la conception des systemes electroniques tolerants aux effets de la radiation. La premiere approche permet la conception de circuits tolerants aux effets de la dose totale, tandis que la deuxieme approche permet la conception de memoires cmos sram tolerantes aux aleas. Ces deux approches sont basees sur la combinaison de test par courant, realise par des capteurs de courant sur silicium, et de techniques de redondance au niveau materiel