Abstract FR:

Le premier chapitre rappelle les generalites concernant le silicium amorphe, les transistors couches minces et leurs applications. Le chapitre 2 expose le principe et la theorie des mesures par courants thermostimules ainsi que le dispositif experimental necessaire pour realiser les mesures. Le chapitre 3 concerne les principales informations sur les etats localises du a-si:h obtenus apres mesures; en particulier les etats de queue de bandes de conduction et les etats associes aux liaisons pendantes. Dans le dernier chapitre, on s'interesse a la stabilite des transistors couches minces