Abstract FR:

Pour la plupart des applications bicmos, l'effort principal porte maintenant sur la reduction de la consommation et la recherche de frequences de fonctionnement elevees et on s'oriente vers des transistors bipolaires a base fine si ou sige tres dopee. Or l'integration croissante des transistors et la reduction des dimensions qu'elle entraine, ont deux effets. D'une part, la reduction des bilans thermiques donne une forte importance a la presence de defauts ponctuels hors equilibre a l'origine de la diffusion acceleree des dopants. D'autre part, l'effet des etapes technologiques creatrices de defauts ponctuels en peripherie de zone active, negligeable sur les grandes structures, peut devenir visible lorsque la taille des dispositifs devient comparable a la longueur de diffusion laterale des defauts. Nous nous sommes donc interesses aux etapes technologiques generatrices de defauts ponctuels qui sont susceptibles de contrarier la reduction de largeur de base des transistors bipolaires n-p-n. Nous avons montre que les etapes d'oxydation, de siliciuration et d'implantation ionique accelerent la diffusion de la base des transistors bipolaires de petite dimension. Cet elargissement provoque une degradation des performances electriques statique et hyperfrequence du dispositif. Une analyse detaillee des caracteristiques en temperature de transistors bipolaires a base fine silicium a permis d'interpreter les observations experimentales et de confirmer nos conclusions d'abord obtenues par simulation