thesis
Contribution à l'étude de l'élaboration du nitrure de silicium par un nouveau procédé de dépôt chimique en phase gazeuse assisté par plasma
Institution:
Toulouse, INPTDisciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
Fonctionnement selon le principe de la chemical vapour deposition by distinct electronic and thermal activations, un nouveau dispositif est mis en uvre pour le depot de couches minces de nitrure de silicium. Les depots ont ete caracterises par differentes methodes analytiques telles que, ellipsometrie dans le visible, spectroscopies i. R. -t. F. , auger, esca et meme par microscopie electronique a 1,2 mv en utilisant l'appareil du laboratoire d'optique electronique du cemes/cnrs de toulouse. Les conditions operatoires requises pour l'elaboration de films de nitrure de silicium de tres haute qualite ont ete mises en exergue