Abstract FR:

La realisation de jonctions p+/n ultra-fines reclamees par la v. L. S. I. A ete apprehendee. La preamorphisation du silicium par implantation d'ions germanium a ete etudiee. L'evolution du materiau avec les conditions d'implantation a ete observee. L'implantation du bore a basse energie a necessite une recherche technique des conditions de travail ideales. Les profils de germanium et de bore ont ete releves avant et apres traitement thermique par sims et spreading resistance. Une methode specifique a la caracterisation des zones p+ a ete elaboree pour la spreading resistance. Enfin, une etude des caracteristiques electriques des composants resultants a ete menee. Ces caracteristiques dependent fortement des conditions d'implantation du germanium. Ainsi, la preamorphisation apparait comme un moyen aise d'obtention de jonctions ultra-fines p+/n avec d'excellentes caracteristiques electriques a condition de bien choisir les parametres d'implantation du germanium