Abstract FR:

Le travail presente dans ce manuscrit s'insere dans le cadre des recherches menees sur les composants bipolaires npn sur silicium au sein du centre national d'etudes des telecommunications de grenoble (cnet grenoble). Afin de realiser des transistors tres performants, nous avons tout d'abord travailles sur une des parties critiques des transistors a emetteur polysilicium : l'interface polysilicium/monosilicium. Nous presentons donc dans un premier temps, une etude originale sur la realisation de ces interfaces en utilisant une ozonation soit en ambiance gazeuse soit en ambiance aqueuse qui creent chacune une couche d'oxyde differente. Dans un deuxieme temps, nous presentons un modele de transport des porteurs a travers la barriere interfaciale qui nous permet d'extraire la resistance specifique d'interface et le coefficient de transmission des trous. Cette etude nous permet egalement de correler le bruit basse frequence a l'interface polysilicium/monosilicium et de montrer qu'il est le plus faible pour une interface la plus propre possible. Enfin, nous montrons qu'il est possible d'obtenir de tres bonnes performances dynamiques et un tres faible bruit basse frequence en utilisant une technologie simple polysilicium, quasi-auto-alignee 0,35 m avec un emetteur recristallise.