Abstract FR:

Le comportement du titane dans le silicium a ete etudie du point de vue electrique et physico-chimique par dlts (deep level transient spectroscopy). Du point de vue electrique, nous avons procede a une reexamination des niveaux profonds induits par le titane dans la bande interdite du silicium. Nous avons confirme que le titane interstitiel introduit trois niveaux profonds: un niveau accepteur e (0,09), un niveau donneur e (0,30) et un niveau double donneur h (0,26). Une analyse fine du niveau donneur a montre que la vitesse d'emission thermique depend faiblement du champ electrique. Nous avons propose un modele qui montre que l'absence de l'effet poole-frenkel est liee a l'existence d'un potentiel a courte distance superpose a l'interaction coulombienne. Du point de vue physico-chimique, nous avons utilise le niveau h (0,26) comme sonde pour determiner par dlts le coefficient de diffusion du titane et sa limite de solubilite dans le silicium qui sont donnes par les expressions suivantes: d=1,4510##2 exp (-1,79/kt) cm#2s##1; c=510#2#2 exp q(4,22-3,05/kt) cm##3