Abstract FR:

Les circuits integres actuels comportent des materiaux tres divers, aux interfaces desquels des reactions chimiques peuvent se produire et activer des mecanismes d'endommagement. Dans le cas des circuits comportant des lignes d'interconnexion en aluminium et des couches barriere de diffusion en titane, il a ete montre que le compose intermetallique tial 3 pouvait etre forme par interdiffusion. Il est important de comprendre les processus controlant la formation de ce compose car il provoque une augmentation de la resistivite des lignes d'interconnexions et induit des contraintes mecaniques dans la structure des circuits integres. L'objet de cette etude est, premierement, de caracteriser la microstructure et la vitesse de formation du compose tial 3 ; et deuxiemement, de determiner les contraintes mecaniques generees lors de la croissance du compose a partir des couches minces sur silicium, representatives des structures d'interconnexion. Pour cela, differentes techniques de caracterisation physico-chimiques ont ete utilisees : dsc, met, sims, drx. Les resultats obtenus sont utilises pour etablir les hypotheses de simulations reproduisant les phenomenes physiques impliques dans la germination et croissance du tial 3.