Abstract FR:

L'utilisation de circuits electroniques a des temperatures allant de 125 a 350 degres celsius est de plus en plus souhaitee dans des domaines comme l'automobile, l'avionique et la recherche petroliere. Dans la famille silicium, les composants cmos realises en silicium sur isolant (soi) sont les plus aptes a repondre a ces besoins. La these contribue a la disponibilite d'outils de simulation de circuits a haute temperature. Elle donne d'abord une synthese des proprietes du silicium et de leur variation en temperature. Est ensuite proposee l'adaptation d'un modele compact de transistor mos a la gamme 20-350 degres celsius. La simulation d'oscillateurs en anneau valide ce modele. Les deux derniers chapitres sont consacres a la modelisation des phenomenes propres au soi (substrat flottant, regimes transitoires, transistor bipolaire parasite et auto-echauffement).