Abstract FR:

Le tungstene depose par le procede l. P. C. V. D. Semble etre un materiau susceptible d'apporter des solutions aux nombreux problemes d'interconnexion poses par la diminution constante de la taille des circuits integres. Ce memoire presente le travail portant sur les themes suivants: 1) optimisation des conditions de depot de tungstene et caracterisation, 2) caracterisation de l'interface tungstene-silicium, 3) stabilite thermique de la structure w/si et 4) faisabilite de l'utilisation du tungstene comme une barriere de diffusion dans la structure al/w/si