thesis
Réalisation de couches minces de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium nitruré par plasma réactif d'ammoniac en vue d'applications pour les technologies de circuits intégrés submicroniques
Institution:
Grenoble INPGDisciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Description du dispositif experimental. Presentation des resultats des analyses physicochimiques (spectrometrie auger, sims, xps, spectrometrie ir, revelation chimique, ellipsometrie, tem haute resolution) realisees sur les couches minees obtenues, evaluation des proprietes electriques des couches d'oxyde nitrure par des mesures c(v) et i(v) sur des condensateurs mos. Etudes preliminaires sur la resistance de ces oxydes aux rayonnements ionisant et sur les proprietes de barriere a l'oxydation des couches obtenues par nitruration plasma du silicium