Abstract FR:

Nous avons optimise la qualite du diamant en fonction des conditions de preparation, et etudie la nature et la concentration de ses defauts electroniques residuels, pour la realisation, a long terme, de dispositifs electroniques avec du diamant en couches minces. Les couches (polycristallines) sont deposees sur si par cvd assiste par filament chaud (hfcvd) a 750c, et plasma micro-ondes (mpcvd) entre 620 et 880c. En hfcvd, du w (10#1#6 at-cm#2) est incorpore, et il existe une couche interfaciale (30 a 250 a) de sic. En mpcvd, il y a une incorporation faible de si, et une epaisseur equivalente de sic de 10 a 150 a quand le substrat de si est en aval du plasma. La largeur a mi-hauteur de la raie raman du diamant qui repere la qualite des couches est plus faible (meilleure) que les couches mpcvd, avec un minimum a 2 cm#-#1. Les defauts des couches mpcvd sont etudies par rpe et cathodoluminescence. Par rpe, il apparait des signaux a g=2. 0027 avec des largeurs autour de 4 et 10 gauss, attribuees a des liaisons libres de c en interaction et isolees, respectivement, avec une concentration minimum de 3 10#1#6 cm#-#3. Des bandes larges autour de 1. 8 et 2. 8 ev et des pics etroits a 1. 68, 1. 96, 2. 2, 2. 33, 2. 41, 2. 47, 2. 57, 2. 98 et 3. 09 ev, attribuees respectivement a des defauts etendus et ponctuels apparaissent en cathodoluminescence. Des resultats preliminaires montrent que l'incorporation de b ameliore la qualite des couches