Abstract FR:

Dans ce travail, nous nous sommes interesses aux mecanismes de restructuration de couches de silicium fortement endommagees par l'implantation a l'arsenic. Les echantillons caracterises ont ete elabores a partir d'un substrat de silicium <100> de type p bombarde, a la temperature ambiante, avec un faisceau d'ions d'arsenic accelere a 200 kev. En faisant varier la dose d'implantation, nous avons pu mettre en evidence, a l'aide de la microscopie electronique, la transition cristal-amorphe lorsque la dose d'implantation est superieure a la dose critique d'amorphisation. La combinaison de plusieurs methodes de caracterisation electriques et physiques nous a permis d'etudier l'effet du recuit thermique post-implantation sur les proprietes electriques et structurales de ce materiau. La correlation des resultats issus de ces differentes methodes a rendu possible la mise en evidence d'un phenomene d'activation electrique des impuretes apres recuit a basse temperature intervenant independamment de la recristallisation de la couche amorphe. L'analyse detaillee de ce phenomene a demontre qu'il se produit par un processus de relaxation locale caracterisee par une faible energie d'activation. L'etude de l'effet du recuit thermique sur les proprietes structurales des couches de silicium desordonne a permis de conclure que la migration des defauts ponctuels et de leurs complexes est a l'origine de la relaxation locale