Abstract FR:

L'objet de cette these est d'etudier les proprietes physico-chimiques du siliciure d'erbium ersi#1#. #7 epitaxie et de son interface avec le si(111) par des techniques d'analyses de surface (xps, ups, aes et del). Les films ont ete elabores par evaporation sous ultra-vide. La methode de co-evaporation (1 er:1. 7 si) est la mieux adaptee: elle a donne des couches de siliciure planes et sans trous. La qualite cristalline du siliciure a ete verifiee principalement en del et sa morphologie examinee en meb. Les proprietes electroniques des couches de ersi#1#. #7(0001) ont ete explorees en detail. Le transfert de charge entre er et si est negligeable et la liaison chimique est de type metallique. La bande de valence est formee de l'hybridation si 3p-er 5d. Sa densite d'etats a ete mesuree en xps monochromatisee et en ups sur une couche polycristalline, et completee par l'auger si lvv. La comparaison avec les calculs theoriques a montre le role determinant des lacunes de si dans la structure electronique. Les relations de dispersion e(k#) et e(k#) ont ete etablies par ups angulaire au lepes et au lure respectivement. La dispersion est tres forte dans le plan de la surface et faible dans la direction perpendiculaire. Des etats ou resonances de surface ont ete detectes. L'interface er/si(111), fabriquee a temperature ambiante, est tres reactive avec la formation d'un melange de meme composition que le siliciure. Sur ce dernier croit une couche metallique d'er avec du si dissout, indiquant la forte mobilite des atomes de si dans l'er. L'interface ersi#1#. #/7si(111) formee a 600c est tres particuliere. En-dessous d'une couverture 0. 7 mc, le siliciure est sous forme d'un metal bidimensionnel. Au-dessus, le mode de croissance est plus complexe et la bande de valence se rapproche tres rapidement de celle du siliciure epais