Abstract FR:

L'utilisation de masques a decalage de phase (mdp) en lithographie uv profonds semble indispensable pour l'obtention d'une resolution de 0. 1 micron, pour les generations futures de circuits integres. La mise au point de procedes de fabrication simplifies de masques apparait desormais comme un enjeu technologique important. Les mdp sont principalement realises par ecriture directe sous faisceau d'electrons. La limitation principale de cette lithographie est l'alteration de la precision d'ecriture du faisceau electronique. En effet, l'accumulation de charges a la surface de la resine electrosensible isolante provoque la deviation du faisceau d'electrons. L'analyse des differents procedes existants a montre que l'utilisation d'un polymere conducteur et electrosensible, comme dephaseur optique permet d'apporter des ameliorations au niveau de la mise en uvre du materiau conducteur et de l'etape lithographique. Notre choix s'est porte sur la famille des polythiophenes, polymeres conducteurs reticulables sous faisceau d'electrons. L'aspect technologique de ce travail a consiste a mettre au point les differents etapes du procede. L'etat conducteur du polymere est obtenu par dopage des films a l'aide de composes organiques specifiques permettant d'eviter toute contamination metallique, redhibitoire en microelectronique. La mise au point de l'etape lithographique a permis d'identifier des parametres critiques tels que la synthese du polymere ou la nature du developpeur. Enfin, une etude de vieillissement sous uv profonds du materiau reticule a montre les limites d'utilisation en lithographie