Abstract FR:

LA MINIATURISATION DES CIRCUITS INTEGRES, AVEC LE PASSAGE AUX GENERATIONS SUBMICRONIQUES INDUIT DE NOUVELLES CONTRAINTES TECHNOLOGIQUES ET MONTRE, EN PARTICULIER, LES LIMITATIONS DES TECHNIQUES CONVENTIONNELLES DE METALLISATION. LE PROCEDE DE DEPOT SELECTIF PAR CVD, OUTRE LE FAIT DE SUPPRIMER CERTAINES ETAPES ELEMENTAIRES DE PHOTOLITHOGRAPHIE ET DE GRAVURE, OUVRE DES PERSPECTIVES NOUVELLES POUR LES FAIBLES DIMENSIONS. LES DEPOTS SELECTIFS DE TUNGSTENE POUR L'INTERCONNEXION ET DE DISILICIURE DE TITANE POUR LA PRISE DE CONTACTS AUX NIVEAUX DE LA SOURCE ET DU DRAIN DES TRANSISTORS ONT ETE ENVISAGES POUR DES TECHNOLOGIES INFERIEURES A 0,5 M. LES CONDITIONS DE DEPOT POUR CES DEUX MATERIAUX SONT DIFFERENTES. LES ROLES DES NETTOYAGES DE LA CHAMBRE ET DE LA PLAQUETTE AVANT DEPOT PROPREMENT DIT ONT ETE MIS EN EVIDENCE. DANS LES DEUX CAS, DES PROCEDES DE NETTOYAGES ET DE DEPOTS ONT ETE OPTIMISES ET CORRELES AVEC LA THERMODYNAMIQUE ET LA PHYSIQUE DES DEPOTS ET COMPTE-TENU DES REACTEURS EN PRESENCE. UNE ETUDE PRELIMINAIRE SUR LOTS A ETE REALISEE AVEC SUCCES. ENFIN, LA FAISABILITE DE LA Technique SELECTIVE ET SON APPLICATION POUR LES CIRCUITS ULSI, DANS DES REACTEURS INDUSTRIELS, PERMETTENT D'ENVISAGER LE TRANSFERT DE CETTE TECHNOLOGIE DE LA R&D VERS LA PRODUCTION