Abstract FR:

La reduction des couts conduit les industriels a definir de nouvelles methodes et procedures pour le test des composants electroniques utilises dans les environnements radiatifs. C'est dans ce cadre que nous presentons ces travaux concernant la recherche de points communs entre les effets des radiations et du stress electrique. Le composant etudie est le transistor mos de puissance tres utilise dans les applications spatiales. Une methode originale de pompage de charge a ete developpee et appliquee pour la premiere fois aux transistors de puissance a structure verticale vdmos. Les effets separes de la dose cumulee et du stress electrique ont ete etudies sur des composants commerciaux standards. Pour ces deux types d'agressions, les defauts generes (charges piegees dans l'oxyde et etats d'interface) ont de nombreux points communs. L'effet de la dose cumulee sur des transistors pre-stresses electriquement est aussi etudie. L'analyse des differents resultats permet finalement d'obtenir quelques elements de reponse sur l'existence de correlations entre les effets de la dose cumulee et du stress electrique.