Abstract FR:

Ce travail porte sur l'etude de l'influence de la concentration de l'oxyde dopant sur les couches minces de zro2 stabilisees mgo, ceo2 et gd2o3 en vue de leur application sur les capteurs de temperature et la passivation des semiconducteurs. Les depots sont obtenus par evaporation thermique reactive au double canon a electron dans une atmosphere d'oxygene. Des etudes morphologiques, microstructurelles, electriques et optiques y ont ete faites. Les couches obtenues sont polycristallines et presentent une microstructure fine. Les contraintes thermiques et residuelles sont en compression ou en tension selon la nature et la concentration de l'oxyde dopant dans la matrice de zro2. Une optimisation des constantes dielectriques est observee pour les certaines concentrations de dopant. L'indice de refraction est assez elevee et depend fortement de la porosite des couches. La zircone ainsi stabilisee a ete utilisee pour la protection des surfaces internes et externes des buses de thermocouples en ir-40% rh. Lors des essais, elle a supporte un choc thermique a 1500c pendant 15 mn. D'autres applications telles les miroirs lasers en optique, la protection contre l'abrasion et la corrosion des dispositifs sont envisageables a partir des proprietes physiques des depots etudies