Abstract FR:

Notre etude porte sur les proprietes de piegeage de charges induit par rayonnement x dans les oxydes enterres des technologies silicium sur isolant. Nous avons plus precisement etudie differentes variantes d'oxyde synthetisees par implantation ionique d'oxygene dans le silicium (procede simox). Dans une premiere partie, nous avons recense les principaux defauts structuraux identifies dans sio#2 amorphe puis propose une synthese des defauts electriquement actifs. Apres avoir etabli une approche analytique du piegeage de charges dans les isolants, nous avons tente de relier les derives electriques induites par l'irradiation dans les dispositifs mos (metal-oxyde-semiconducteur) aux parametres physiques des defauts, en terme de densites de pieges et de sections efficaces de capture. D'une part, en agissant sur les variables d'environnement (champ electrique, temperature), nous avons montre l'existence d'un piegeage d'electrons dans les oxydes enterres, et identifie son origine technologique. D'autre part, des mesures d'evolution post-irradiation nous ont permis d'etablir que la charge nette piegee dans l'oxyde est largement distribuee sur des niveaux profonds de la bande interdite de l'isolant. Enfin, nous avons etendu notre etude du piegeage de charges aux materiaux a forte constante dielectrique (zircone stabilisee yttrium, oxyde de tantale)