Abstract FR:

Ce memoire est consacre a la caracterisation et a la modelisation hyperfrequence du bruit de fond dans les transistors a effet de champ a heterojonction de type pseudomorphique (phemt) sur substrat gaas et inp. Sur les transistors phemt (substrat inp), nous etudierons l'evolution du schema equivalent et les quatre parametres de bruit en fonction de la largeur et de la topologie de grille (grille en t, 4 et 8 doigts de grille). Apres une mesure des caracteristiques i-v des dispositifs, nous presentons dans le deuxieme chapitre la technique experimentale permettant d'obtenir les quatre parametres de bruit ainsi que les resultats obtenus. Nous montrons que le transistor phemt sur inp presentait un facteur de bruit minimum moins eleve et un courant de drain optimum plus grand que le transistor phemt sur gaas. L'etude en fonction des parametres geometriques de grille a permis de definir la structure optimale en ce qui concerne le comportement en bruit. Une telle caracterisation etant delicate a mettre en uvre, nous avons cherche a modeliser les quatre parametres de bruit afin de pouvoir les predire. Les methodes classiques necessitant, en plus de la connaissance precise du schema equivalent et au moins d'une mesure de bruit, il nous a semble interessant de developper un modele ne faisant appel qu'a la connaissance du schema equivalent. Les resultats obtenus par ce modele sont en parfait accord avec les mesures effectuees aussi bien en fonction de la frequence que de la polarisation