Abstract FR:

Le depot chimique en phase vapeur (cvd) est une technique des plus employees pour la fabrication de composants electroniques. Comme tout procede utilisant un reacteur, un certain nombre de criteres est necessaire pour reussir une telle operation pour un type de depot donne. Ces criteres doivent alors reunir le type du reacteur, les phenomenes thermodynamiques, les cinetiques de reaction, et les caracteristiques d'ecoulement et de transport de masse. La modelisation des reacteurs de cvd integre toutes ces considerations dans un modele global pour generer un outil de nature predictive reliant les caracteristiques du depot a tous ces parametres. L'objectif principal de ce travail est de coupler les phenomenes de transfert de matiere a un code hydrodynamique commercial. L'avantage principal decoulant d'un tel choix est evidemment la possibilite de traiter des geometries complexes avec un logiciel eprouve s'affranchissant de l'hydrodynamique et de la thermique. Dans notre cas, nous avons choisi estet un code commercial auquel nous avons ajoute les termes sources decrivant nos cinetiques en phase gazeuse et au niveau des surfaces. L'outil mathematique a ete utilise pour traiter les cas suivants : - le depot de silicium epitaxie a partir d'un melange de silane et d'hydrogene dans un reacteur rtp. Dans ce cas de nouvelles constantes cinetiques ont ete estimees grace a la methode qrrk. - le depot de silicium polycristallin pur et dope in-situ au phosphore a partir d'un melange de silane de phosphine et d'azote dans un reacteur tubulaire horizontal a murs chauds. - le depot de sipos a partir d'un melange de silane et de protoxyde d'azote dans le meme reacteur tubulaire. Grace a un processus iteratif au niveau des surfaces de depot, nous estimons le taux d'oxygene introduit dans la couche deposee. Dans les trois cas les simulations effectuees sont validees par des resultats experimentaux releves de la litterature.