Abstract FR:

L'objet de la these est de determiner des proprietes electriques des couches de gasb obtenues par epitaxie par jets moleculaires, par l'etude du contact schottky realise sur des couches. Les conditions de croissance de la couche de gasb sont deja optimisees pour obtenir une bonne qualite cristallographique. Apres avoir rappele les theories en vigueur sur l'origine de la barriere et les differents mecanismes de transport dans les diodes schottky, nous etudions les proprietes des contacts schottky que nous avons realises dans le laboratoire. La procedure experimentale ainsi que la realisation technique sont mentionnees. Les releves des caracteristiques i(v) et c(v) ont ete effectuees sur les nombreuses diodes des differents echantillons. Ils nous ont permis de calculer les parametres hauteur de la barriere, coefficient d'idealite, dopage de la couche et valeur de la resistance serie. Les caracteristiques c(v) des diodes realisees sur les couches dopees n ont ete exploitees pour etudier le profil du dopage dans la couche epitaxiee et la variation de ce dopage a differents endroits de l'echantillon. Des etudes en temperature sur des caracteristiques i(v) ont ete aussi effectuees. La discussion et l'analyse des resultats nous ont permis de donner une estimation du dopage residuel des couches de gasb obtenues par ejm ainsi que l'etalonnage du flux de telure utilise comme dopant pour obtenir un dopage n de l'ordre de 10#1#7 cm##3