Etude des couches minces de CuInSe2 obtenues par la technique de MOCVD en une ou plusieurs étapes pour des applications photovoltai͏̈que
Institution:
Montpellier 2Disciplines:
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Abstract EN:
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Abstract FR:
Ce memoire presente le resultat d'une etude realisee sur la croissance des couches minces de cuinse#2 par la technique de depot chimique en phase vapeur aux organometalliques (mocvd). L'interet de ce compose est qu'il peut etre utilise en tant que materiau absorbeur dans l'elaboration de cellules solaires. Dans le premier chapitre, un etat d'art sur les differents materiaux dans la filiere des couches minces utilises dans les cellules et plus particulierement les proprietes du cuinse#2, sont presentes. Une description de l'appareillage de mocvd et une etude en fonction des parametres de croissance du cuinse#2 sont donnees. Deux methodes de croissance sont utilisees: par codepot des trois elements et par depots sequentiels ou multi-etapes. Une etude des proprietes structurelles, morphologiques, optiques et electriques des couches ternaires cu-in-se obtenues par codepot est presentee dans le chapitre iii. La croissance a partir des depots sequentiels ainsi que les proprietes des couches obtenues font l'objet du chapitre iv. Les resultats obtenus sur les cellules solaires realisees a base des couches minces elaborees par codepot sont tres prometteurs. On note des tensions de circuit ouvert situees entre 250 - 280 mv avec des densites de courant de court-circuit de l'ordre de 10 ma/cm#2